最近有新的消息显示，备受期待的Snapdragon 8 Gen 4芯片的Geekbench性能分数可能会超越苹果的A18芯片，如果这些性能数据属实，则代表着高通骁龙芯片的技术提升。
高通预告，该公司将于本年度十月份正式发布Snapdragon 8 Gen 4芯片。虽然当前有限的芯片规格信息被公之于众，但这些新的消息让我们可以看到下一代Snapdragon芯片潜在的性能飞跃。
来自新的消息源透露，基于TSMC N3E工艺的Snapdragon 8 Gen 4，其4.3 GHz的运行频率下所需电压约为1.3伏，而这一电压水平对移动处理器而言偏高。
这些资料表明，Snapdragon 8 Gen 4在Geekbench单核测试中的得分可达约3500分，这就超越了苹果的A18芯片，甚至能够与iPhone 16 Pro使用的A18 Pro芯片的最高得分相媲美。尽管关于Snapdragon 8 Gen 4在多核和GPU测试的具体分数未详细说明，但据称其性能将大大超过A18芯片。
如果这些性能数据准确无误，将标志着高通在单核性能测试中首次超越苹果。在我们之前评选的2023年度最快手机中，苹果产品以明显的优势领先安卓产品。但是这一差距在Snapdragon 8 Gen 3芯片驱动的Galaxy S24系列发布后有所缩小，该系列在单核得分上展现了竞争力，并在多核得分上更为突出。
尽管性能数据很好看，但报告同时指出一些可能的问题。例如，Snapdragon 8 Gen 4的主核心可能设置为4.3 GHz，潜在功耗达到1.3V，这可能导致芯片运行温度异常高，超出多数智能手机当前的承受能力。
在评价Geekbench得分时，这些数据可能会因多种原因而会有变化，或存在误解的可能。如果这些数据被证实为真实，对于期望使用下一代Snapdragon芯片的产品来说，是一个好的消息，前提是它们能够有效管理这些芯片的运行。我们只有通过亲自测试，才能确认这些数据的情况。
对于有兴趣了解Snapdragon其他芯片性能的人来说，回顾我们之前发布的2023年度最快手机榜单会有所帮助，其中Galaxy S23 Ultra和Asus ROG Phone 7 Ultimate占据了前列位置。而且Snapdragon芯片在电源管理方面的表现也是其一大优势，采用该系列芯片的手机可能会有更长的电池续航能力。
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